کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5426278 | 1395885 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Non-classical kinetics processes and morphologies in QSE driven growth in Pb/Si(1 1 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A novel growth low temperature morphology is observed in the growth of Pb/Si(1Â 1Â 1) related to the kinetics of Quantum Size effects. This morphology is globally observed over mesoscopic distances. Bilayer height rings nucleate first at the island perimeter which spread out towards the center. With Monte Carlo simulations the morphology is reproduced with highly anisotropic diffusion (i.e., radial diffusion out of a ring of one lattice constant is slower than azimuthal diffusion by at least 10â5 at 180Â K). This shows that both kinetics and energetics are responsible for the uniform height island formation and the similar temperature “window” â¼180Â K independent of the initial Si interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 20, 15 October 2006, Pages 4765-4770
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 20, 15 October 2006, Pages 4765-4770
نویسندگان
Z. Kuntova, M. Hupalo, Z. Chvoj, M.C. Tringides,