کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5426295 | 1395886 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantitative analysis of surface donors in ZnO
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Quantitative analysis of surface donors in ZnO Quantitative analysis of surface donors in ZnO](/preview/png/5426295.png)
چکیده انگلیسی
At low temperatures, typically up to 30Â K or even higher, the electrical properties of bulk ZnO samples are nearly always dominated by a conductive near-surface region. Here we show that a single, low-temperature Hall-effect measurement, say at 20Â K, and a reasonable assumption regarding the upper limit of the surface compensation ratio, yields a value of surface donor concentration ND,surf accurate to within about a factor two. Examples are given for bulk materials grown by the vapor-phase, melt, and hydrothermal processes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 23, 1 December 2007, Pages 5315-5319
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 23, 1 December 2007, Pages 5315-5319
نویسندگان
D.C. Look,