کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5426485 | 1395890 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A theoretical study of Ge adsorption on Si(0 0 1) covered with Bi nanolines
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The energetic stability and the equilibrium geometry of Ge adsorption on the Si(0Â 0Â 1) surface covered with Bi nanolines were examined by ab initio total energy calculations. We find that there is an energetic preference of Ge atoms lying on the Si(0Â 0Â 1) terraces, forming Sidown-Geup mixed dimers. Further investigations reveal a repulsive interaction between the mixed dimers and the Bi nanolines, suggesting that the formation of Sidown-Geup dimers can be tailored by the presence of the Bi nanolines.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 18, 15 September 2007, Pages 3707-3710
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 18, 15 September 2007, Pages 3707-3710
نویسندگان
R.H. Miwa, G.P. Srivastava,