کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5426538 | 1395890 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular dynamics simulation of CH3 interaction with Si(1 0 0) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Molecular dynamics simulations of the CH3 interaction with Si(1Â 0Â 0) were performed using the Tersoff-Brenner potential. The H/C ratio obtained from the simulations is in agreement with available experimental data. The results show that H atoms preferentially react with Si. SiH is the dominant form of SiHx generated. The amount of hydrogen that reacts with silicon is essentially energy-independent. H atoms do not react with adsorbed carbon atoms. The presence of C-H bonds on the surface is due to molecular adsorption.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 18, 15 September 2007, Pages 3965-3969
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 18, 15 September 2007, Pages 3965-3969
نویسندگان
F. Gou, M.A. Gleeson, A.W. Kleyn,