کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5426681 | 1395897 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Observation of a (â3 à â3)-R30° reconstruction on GaN(0 0 0 1) by RHEED and LEED
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A new reconstruction of â3 Ã â3-R30° has been observed on a GaN film grown on a 6H-SiC (0 0 0 1)-â3 Ã â3 surface using RHEED and LEED experimental techniques. The experimental LEED PF shows that the GaN film is Ga-terminated hexagonal. The surface is a mixture of two structures with a single bilayer height difference between them. One is a â3 Ã â3-R30° reconstruction with Ga-adatoms occupying the T4 sites. Another is a Ga-terminated 1 Ã 1 with no extra Ga on top. The area ratio of the â3 Ã â3 part to the 1 Ã 1 part is slightly larger than 1. The first principle total energy calculations and Tensor-LEED I-V curves simulations further confirm this structure model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 14, 15 July 2006, Pages 169-174
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 14, 15 July 2006, Pages 169-174
نویسندگان
J. Wang, Ricky So, Y. Liu, Huasheng Wu, M.H. Xie, S.Y. Tong,