کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5442738 | 1510770 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron Raman scattering in a double quantum well tuned by an external nonresonant intense laser field
ترجمه فارسی عنوان
پراکندگی رامان الکترونی در یک کوانتومی دوگانه که توسط یک میدان لیزر شدید غیر رضایتبخش خارجی تنظیم شده است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
لیزر شدید خوب کوانتوم، پراکندگی رامان،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
In this work we shall present a study of inelastic light scattering involving inter-subband electron transitions in coupled GaAs-(Ga,Al)As quantum wells. Calculations include the electron related Raman differential cross section and Raman gain. The effects of an external nonresonant intense laser field are used in order to tune these output properties. The confined electron states will be described by means of a diagonalization procedure within the effective mass and parabolic band approximations. It is shown that the application of the intense laser field can produce values of the intersubband electron Raman gain above 400Â cmâ1. The system proposed here is an alternative choice for the development of AlxGa1âxAs semiconductor laser diodes that can be tuned via an external nonresonant intense laser field.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 64, February 2017, Pages 496-501
Journal: Optical Materials - Volume 64, February 2017, Pages 496-501
نویسندگان
A. Tiutiunnyk, M.E. Mora-Ramos, A.L. Morales, C.M. Duque, R.L. Restrepo, F. Ungan, J.C. MartÃnez-Orozco, E. Kasapoglu, C.A. Duque,