کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5442992 | 1510769 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Silicon carbide thin films with different processing growth as an alternative for energetic application
ترجمه فارسی عنوان
فیلم های نازک سیلیکون کاربید با رشد پردازش های مختلف به عنوان یک جایگزین برای کاربرد پر انرژی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
کاربید سیلیکون، فیلم های نازک پلاسما، ساختار بلوری فیلم های آمورف،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
Different SiC thin film structures were obtained depending on the deposition techniques. Crystalline films were grown using a Pulsed laser deposition (PLD), in contrary the sputtering DC magnetron method allow to have an amorphous films (a-SiC:H and a-Si1âxCx:H). A comparative study of the structural and optical characteristics of the elaborated films has been performed. The energetic application possibilities such as blue or multicolor LEDs have been explored. Different techniques have been used to investigate the elaborated films such as SEM-EDS, SIMS, photoluminescence and spectral response.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 65, March 2017, Pages 117-123
Journal: Optical Materials - Volume 65, March 2017, Pages 117-123
نویسندگان
A.M. Ouadfel, A. Keffous, A. Kheloufi, A. Cheriet, C. Yaddaden, N. Gabouze, M. Kechouane, Y. Belkacem, A. Boukezzata, S. Kaci, L. Talbi, Y. Ouadah, I. Bozetine, B. Rezgui, L. Guerbous, H. Menari, B. Mahmoudi, I. Menous,