کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5443713 | 1510876 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strain relaxation in epitaxial Ge crystals grown on patterned Si(001)Â substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Strain relaxation in epitaxial Ge crystals grown on patterned Si(001)Â substrates Strain relaxation in epitaxial Ge crystals grown on patterned Si(001)Â substrates](/preview/png/5443713.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 127, 15 January 2017, Pages 169-172
Journal: Scripta Materialia - Volume 127, 15 January 2017, Pages 169-172
نویسندگان
Yadira Arroyo Rojas Dasilva, Marta D. Rossell, Fabio Isa, Rolf Erni, Giovanni Isella, Hans von Känel, Pierangelo Gröning,