کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5444611 | 1511111 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Development of spin-coated copper iodide on silicon for use in hole-selective contacts
ترجمه فارسی عنوان
توسعه یدید روی مس روی سیلیکون برای استفاده در مخاطب انتخابی سوراخ
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
مخابرات انتخابی حامل یدید مس، چرخش اسپین،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
چکیده انگلیسی
We studied on surface morphology, optical properties and passivation performance of copper iodide (CuI) on crystalline silicon (c-Si) deposited by spin-coating for application to hole-selective contacts to realize high performance and low-cost c-Si solar cells. Absorbance was increased by depositing CuI on c-Si owing to absorption and antireflection effect of CuI. From surface images by scanning electron microscope measurements, discontinuous layer was observed for CuI deposited Si. Effective lifetime was characterized for c-Si with ultra-thin oxide covered by CuI both sides by using a microwave photoconductive decay. The lifetime increased from 2 μs to order of 10 μs by introducing CuI layer possibly due to large conduction band offset.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Energy Procedia - Volume 124, September 2017, Pages 598-603
Journal: Energy Procedia - Volume 124, September 2017, Pages 598-603
نویسندگان
Kazuhiro Gotoh, Min Cui, Isao Takahashi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami,