کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5447819 | 1511765 | 2017 | 19 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strain dependent tuning electronic properties of noble metal di chalcogenides PdX2 (XÂ =Â S, Se) mono-layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Electronic properties of noble metal dichalcogenides PdX2 (XÂ =Â S, Se) mono-layers have been studied using plane wave pseudopotential method based on density functional theory. The observed band gap is 1.28Â eV (0.84Â eV) in case of PdS2 (PdSe2) mono-layer which is in close agreement with previous known results. A further variation in band gap is observed in both the two mono-layers on applying biaxial tensile and compression strain. Phonon spectrum of these mono-layers and its strained structure reflect its dynamical stability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 198, 1 September 2017, Pages 162-166
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 198, 1 September 2017, Pages 162-166
نویسندگان
Sohail Ahmad,