کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5448751 | 1511943 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study on silicon nanopillars with ultralow broadband reflectivity via maskless reactive ion etching at room temperature
ترجمه فارسی عنوان
مطالعه روی نانومواد سیلیکونی با بازتابی از پهنای باند فوق العاده با استفاده از اچینگ واکنش پذیر بی نظیر در دمای اتاق
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
Nanostructured silicon with low surface reflectivity has important application prospects in a wide range. We fabricate crystalline silicon nanopillars with ultralow broadband reflectivity via maskless reactive ion etching at room temperature. The measurements show that the silicon nanopillars are in nano-scale diameter and micron-scale height with tip ends, which show extremely powerful antireflection capability. The silicon nanopillars with the heights of 5 μm and 7 μm demonstrate ultralow weighted average reflectivity of 0.80% and 0.40%, respectively, in a wide wavelength range of 300-1030 nm. Additional SiNx coating reduces the reflectivity to 0.09%. The two-dimensional weighted average reflectivity as function of angle of incidence and wavelength is measured, which shows low sensitivity to angle of incidence in the range of 0°-70°. The calculated wavelength dependent reflectance is in good agreement with the measured result in the range of 300-1030 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 223, September 2017, Pages 153-158
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 223, September 2017, Pages 153-158
نویسندگان
Yi Huang, Wensheng Yan, Xinyu Tan, Lijun He,