کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5451283 | 1513072 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Two dimensional device simulation and performance optimization of n-type silicon solar cell structure using PC2D
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی های تجدید پذیر، توسعه پایدار و محیط زیست
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
To optimize this cell we have used PC2D which is a solar cell device simulator that models two-dimensional effects entirely within a Microsoft Excel spreadsheet. With an Al2O3/SiNx front side boron emitter passivation, the metallization parameters were optimized by the authors getting efficiency of 19.60%. If all the parameters have ideal values our optimization provided an efficiency of 20.05% for homogeneous emitter with sheet resistance of 75 Ω/â¡. Furthermore, the study of the emitter led to a new structure developed recently: the selective emitter of n-type solar cell achieving efficiency of 20.20% with sheet resistance of 50 Ω/â¡ under the contacts and 100 Ω/â¡, between contacts.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy - Volume 146, April 2017, Pages 119-124
Journal: Solar Energy - Volume 146, April 2017, Pages 119-124
نویسندگان
A. Mekemeche, M. Beghdad, M. Belarbi, B. Semmache, Y. Cuminal,