کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5451419 1513079 2016 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of local shunting on the electrical performance in industrial Silicon solar cells
ترجمه فارسی عنوان
تاثیر شانتینگ محلی بر عملکرد الکتریکی در سلول های خورشیدی سیلیکون صنعتی
کلمات کلیدی
شانت، مکان فضایی، مدل دیود توزیع شده تخریب عملکرد،
ترجمه چکیده
این مقاله نتایج حاصل از تحقیق در مورد تأثیر یک شانه اهمی واقع در موقعیت های مختلف فضایی بر عملکرد سلول خورشیدی را با استفاده از شبیه سازی های مبتنی بر مدل های توزیع شده دیود ارائه می دهد. با تغییر سیستماتیک پارامترهایی مانند مقاومت شنت، نزدیکی به فلزی شدن، ناحیه شانت و تابش، بینش عمیق در مورد تاثیر شانت بر عملکرد سلول خورشیدی بدست می آید. علاوه بر این، با استفاده از روش شبیه سازی، با توجه به موقعیت شاندسته منطقه و شدت در مکان های مختلف سلول خورشیدی، اثر موقعیت مکانی شاندان مورد بررسی قرار گرفته است. رویکرد شبیه سازی ارائه شده به صورت تجربی تایید شده است. تاثیر شانت بر ولتاژ نسبی و ولتاژ نسبی مدار باز، با در نظر گرفتن مقادیر مختلف تابش، مورد مطالعه قرار گرفته است. این مطالعه بینش جدیدی در مورد اهمیت موقعیت های مکانی شاندان و نزدیکی فلزیزاسیون انگشت و کاردانی نشان داد. بهبود قابل توجهی در عملکرد الکتریکی سلول خورشیدی می تواند به وسیله جلوگیری از وقوع شاندت ها در مکان های مشخص شده یا جدا شدن آنها از طریق روش لیزر یا شیمیایی یا حذف آنها به دست آید.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی انرژی انرژی های تجدید پذیر، توسعه پایدار و محیط زیست
پیش نمایش مقاله
تاثیر شانتینگ محلی بر عملکرد الکتریکی در سلول های خورشیدی سیلیکون صنعتی
چکیده انگلیسی
The paper presents the results of investigation on the influence of an ohmic shunt located at various spatial positions on the solar cell performance by distributed diode model based simulations. By systematically varying the parameters such as shunt resistance, proximity to metallization, shunt area, and irradiance a deep insight about the shunt impact on the solar cell performance have been obtained. Further, effect of spatial positioning of shunts has been investigated by considering shunted region of same area and severity at various locations of the solar cell, via the simulation approach. The presented simulation approach has been experimentally validated. The influence of shunt on the relative power and relative open circuit voltage has been studied considering different irradiance levels. The study revealed new insights about significance of spatial positions of the shunts and the proximity of finger and busbar metallization. A dramatic improvement in the solar cell's electrical performance can be gained by either preventing the occurrence of shunts at the identified critical locations or isolating them by laser or chemical technique or removing them.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy - Volume 139, 1 December 2016, Pages 581-590
نویسندگان
, ,