کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545212 | 1450553 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dynamic lock-in thermography for operation mode-dependent thermally active fault localization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Microscopic Lock-In Thermography (LIT) has proven unsurpassed capability for non-destructive localization of thermally active defects like shorts or resistive opens, even through the full package. This paper briefly reviews the real-time pixel-wise lock-in methodology, as the key to the extreme temperature sensitivity. A typical LIT work-flow is demonstrated whereby the main focus of the paper is to discuss and demonstrate different ways how to activate the thermally active defects with more complex DUTs/defect signatures, requiring ATE docking.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 50, Issues 9–11, September–November 2010, Pages 1454–1458
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 50, Issues 9–11, September–November 2010, Pages 1454–1458
نویسندگان
R. Schlangen, H. Deslandes, T. Lundquist, C. Schmidt, F. Altmann, K. Yu, A. Andreasyan, S. Li,