کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5452130 | 1513734 | 2017 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of vertically stacked p-MoS2/n-MoS2 heterostructures by chemical vapor deposition for light emitting devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Epitaxial growth of vertically stacked p-MoS2/n-MoS2 heterostructures by chemical vapor deposition for light emitting devices Epitaxial growth of vertically stacked p-MoS2/n-MoS2 heterostructures by chemical vapor deposition for light emitting devices](/preview/png/5452130.png)
چکیده انگلیسی
A single-crystal tetra-layered heterostructure of vertically stacked n-MoS2/p-MoS2/p-GaN was synthesized by chemical vapor deposition. The n-MoS2/p-MoS2/p-GaN heterostructure can be used to fabricate atomically thin white-light-emitting devices. The electroluminescence spectra observed from these devices in forward bias exhibit pure white light emission, which comprises the blue, green, and orange emissions from p-GaN, p-MoS2, and n-MoS2, respectively.259
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nano Energy - Brought to you by:College of Engineering Chengannur - 'Renewal due by 31 Dec 2017'
Journal: Nano Energy - Brought to you by:College of Engineering Chengannur - 'Renewal due by 31 Dec 2017'
نویسندگان
Revannath Dnyandeo Nikam, Poonam Ashok Sonawane, Raman Sankar, Yit-Tsong Chen,