کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5452166 | 1513731 | 2017 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Precursor designs for Cu2ZnSn(S,Se)4 thin-film solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
An indiscrete layer was chosen as a precursor stacking order design, which enabled the suppression of the overly rich Zn zone during a relatively low-temperature annealing process, thus preventing the formation of Zn-rich detrimental secondary phases and defects in these regions. A higher PCE and a uniform composition ratio distribution, which helped to realize uniform characteristics across the solar cell, were obtained.441
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nano Energy - Volume 35, May 2017, Pages 52-61
Journal: Nano Energy - Volume 35, May 2017, Pages 52-61
نویسندگان
Kee-Jeong Yang, Jun-Hyoung Sim, Dae-Ho Son, Young-Ill Kim, Dae-Hwan Kim, Dahyun Nam, Hyeonsik Cheong, SeongYeon Kim, JunHo Kim, Jin-Kyu Kang,