کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5454857 | 1514358 | 2017 | 23 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-resolution transmission electron microscopy analysis of bulk nanograined silicon processed by high-pressure torsion
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل میکروسکوپ الکترونی با وضوح بالا از سیلیکون نانو ساختار فله ای که توسط چرخش با فشار بالا پردازش می شود
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
چکیده انگلیسی
We report on high-resolution transmission electron microscopy observations of bulk nanograined silicon processed by severe plastic deformation through high-pressure torsion (HPT). Single crystalline Si(100) was subjected to HPT processing under a nominal pressure of 24Â GPa at room temperature. The HPT-processed samples contained lattice defects such as dislocations and nanotwins in diamond-cubic Si-I, and metastable phases such as body-centered-cubic Si-III and hexagonal-diamond Si-IV. The grain size ranged from several nanometers up to several tens of nanometers. Subsequent annealing at 873Â K led to the phase transformation to Si-I. No appreciable grain coarsening occurred after annealing while dislocations and nanotwins remained in the Si-I nanograins. The Si-I nanograin structure was retained even after annealing for 12Â h.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Characterization - Volume 129, July 2017, Pages 163-168
Journal: Materials Characterization - Volume 129, July 2017, Pages 163-168
نویسندگان
Yuta Fukushima, Yoshifumi Ikoma, Kaveh Edalati, Bumsoo Chon, David J. Smith, Zenji Horita,