کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
545559 871832 2009 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Three-dimensional finite-element thermal simulation of GaN-based HEMTs
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Three-dimensional finite-element thermal simulation of GaN-based HEMTs
چکیده انگلیسی

The aim of this paper is to show and discuss results of three-dimensional finite-element thermal simulation of GaN HEMT structures. HEMTs differing by geometry, substrate material, passivation, and cooling strategy are simulated and compared in order to give a picture of the complex interplay of factors that must be reckoned with for proper thermal modeling and management.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issue 5, May 2009, Pages 468–473
نویسندگان
, , ,