کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545559 | 871832 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Three-dimensional finite-element thermal simulation of GaN-based HEMTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The aim of this paper is to show and discuss results of three-dimensional finite-element thermal simulation of GaN HEMT structures. HEMTs differing by geometry, substrate material, passivation, and cooling strategy are simulated and compared in order to give a picture of the complex interplay of factors that must be reckoned with for proper thermal modeling and management.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issue 5, May 2009, Pages 468–473
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issue 5, May 2009, Pages 468–473
نویسندگان
F. Bertoluzza, N. Delmonte, R. Menozzi,