کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5457126 | 1515410 | 2017 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular beam epitaxy as a growth technique for achieving free-standing zinc-blende GaN and wurtzite AlxGa1-xN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Our results have demonstrated that MBE may be competitive with the other group III-nitrides bulk growth techniques in several important areas including production of free-standing zinc-blende (cubic) (Al)GaN and of free-standing wurtzite (hexagonal) AlGaN.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials - Volume 63, Issue 2, June 2017, Pages 25-39
Journal: Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials - Volume 63, Issue 2, June 2017, Pages 25-39
نویسندگان
S.V. Novikov, A.J. Kent, C.T. Foxon,