کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5457126 1515410 2017 15 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular beam epitaxy as a growth technique for achieving free-standing zinc-blende GaN and wurtzite AlxGa1-xN
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Molecular beam epitaxy as a growth technique for achieving free-standing zinc-blende GaN and wurtzite AlxGa1-xN
چکیده انگلیسی
Our results have demonstrated that MBE may be competitive with the other group III-nitrides bulk growth techniques in several important areas including production of free-standing zinc-blende (cubic) (Al)GaN and of free-standing wurtzite (hexagonal) AlGaN.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials - Volume 63, Issue 2, June 2017, Pages 25-39
نویسندگان
, , ,