کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5457326 | 1515552 | 2017 | 19 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Signatures of subband quantization in the Coulomb blockade regime of a disordered quantum wire
ترجمه فارسی عنوان
امضاء کوانتیزاسیون فرکانس زیر باند در رژیم محاصره کولمب یک سیم کوانتومی ناسازگار
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترجمه چکیده
در آزمایش میدان مغناطیسی عمود بر آزمایش دو ترمینال سیم کوانتومی ناسازگار طولانی گزارش می کنیم. با استفاده از مدل سازی سیم کوانتومی ناسازگار به عنوان یک نقطۀ کوانتومی تعریف شده در یک آشکارساز، در رشته های مغناطیسی قدرت متوسط، به وضوح در رژیم محاصره کولمب دیده شده است، که به خوبی با استفاده از پراکندگی زبری مرز و تقسیم کوانتومی زیر باند سیم کوانتومی است. سیم کوانتومی با فرض یک تضعیف پارابولی در سیم کوانتومی ناسازگار، ما بیشتر وابستگی میدان مغناطیسی به سطوح انرژی بالا در نقطه کوانتومی و وابستگی ولتاژ به عرض عرض سیم کوانتومی را به دست آوردیم. نتایج ما ممکن است اطلاعات مفید برای مطالعات بیشتر در مورد ساختارهای یکپارچه در آزمایشگاههای تراشه ارائه دهد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
چکیده انگلیسی
We report experiments on the two-terminal conductance of a long disordered quantum wire in a perpendicular magnetic field. Pronouncedly enhanced magnetoconductance in magnetic fields of intermediate strength is observed in the Coulomb blockade regime, which is well explained using the boundary roughness scattering and the subband quantization of the quantum wire, by modeling the disordered quantum wire as that of a quantum dot defined in a quantum wire. Assuming a parabolic constriction in the disordered quantum wire, we further obtained the magnetic field dependence of high energy levels in the quantum dot and the gate voltage dependence of the effective width of the quantum wire. Our results may provide useful information for further studies on integrated structures in on-chip laboratories.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 250, January 2017, Pages 99-103
Journal: Solid State Communications - Volume 250, January 2017, Pages 99-103
نویسندگان
Wei Liu, Jianhong He, Huazhong Guo, Jie Gao,