کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545842 | 1450556 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Testing semiconductor devices at extremely high operating temperatures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We developed a dedicated measurement set-up for the electrical and electrothermal characterization of semiconductor devices and microsystems under very high-temperature conditions. The set-up consists of several modules comprising a vacuum system as basic unit and a number of alternative sample stages. Currently it enables measurements in the temperature range between room temperature and about 700 °C. We give a detailed description of the measurement system, sample mounting techniques, and exemplary measurements on SiC devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1440–1443
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1440–1443
نویسندگان
Peter Borthen, Gerhard Wachutka,