کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
546021 | 1450559 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modification of porous ultra-low K dielectric by electron-beam curing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The impact of electron irradiation on ultra-low K (ULK) porous dielectric material used in advanced interconnects is analyzed using spectroscopic and electrical characterizations. The e-beam irradiation modifies the chemical composition, the porosity and the optical indexes. The effects of e-beam curing on electrical properties and dielectric reliability are also evaluated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 47, Issues 4–5, April–May 2007, Pages 764–768
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 47, Issues 4–5, April–May 2007, Pages 764–768
نویسندگان
C. Guedj, G. Imbert, E. Martinez, C. Licitra, N. Rochat, V. Arnal,