کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
546084 | 1450563 | 2006 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature electrical measurements of silicon bipolar monolithic microwave integrated circuit (MMIC) amplifiers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Outdoor telecommunications equipment can be exposed to ambient temperatures as low as −55 °C. However, microwave devices used in telecommunications infrastructure equipment are generally not rated to such low temperature. This paper assesses scattering parameters (S-parameters), the output power at 1 dB gain compression, and DC characteristics of a silicon bipolar monolithic microwave integrated circuit (MMIC) amplifier at low temperatures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 46, Issues 2–4, February–April 2006, Pages 326–334
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 46, Issues 2–4, February–April 2006, Pages 326–334
نویسندگان
Mohammadreza Keimasi, Sanka Ganesan, Michael Pecht,