کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
546217 1450561 2006 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
FinFET and MOSFET preliminary comparison of gate oxide reliability
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
FinFET and MOSFET preliminary comparison of gate oxide reliability
چکیده انگلیسی

In this work, the influence of gate oxide reliability on N channel FinFET and MOSFET characteristics has been preliminary compared. For similar oxide damage, the results show that the oxide wear out has larger effects on the functionality of the FinFET than on the MOSFET.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 46, Issues 9–11, September–November 2006, Pages 1608-1611