| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | ترجمه فارسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|---|
| 5467222 | 1518614 | 2017 | 7 صفحه PDF | سفارش دهید | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Homojunction silicon solar cells doping by ion implantation
ترجمه فارسی عنوان
سلول های خورشیدی سیلیکون همجوشی دوپینگ توسط کاشت یون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
کلمات کلیدی
ایمپلنت یون فتوولتائیک، خط پرتو، غوطه وری پلاسما،
ترجمه چکیده
بعد از انجماد بر روی نمونه های انتخابی انجام شد تا دوپنات را در هر دو طرف سلول خورشیدی فعال کنید. دو روش بازتوزیع مورد بررسی قرار گرفتند: خنک کننده خنک کننده و سنسور حرارتی. سلول های خورشیدی که بهترین عملکرد را در حدود 20٪ نشان می دهند، با استفاده از آنالایزگی سنبله و شرایط لانه گزینی یون مورد استفاده قرار می گیرد.
اگر به ترجمه دقیق تر نیاز دارید، مترجمان ما آمادگی دارند این مقاله را با کیفیت مطلوب و هزینه مناسب برای شما ترجمه نمایند.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
چکیده انگلیسی
Subsequent annealing was performed on selected samples to activate the dopants on both sides of the solar cell. Two annealing methods were investigated: soak and spike thermal annealing. Best performing solar cells, showing a PV efficiency of about 20%, was obtained using spike annealing with adapted ion implantation conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 409, 15 October 2017, Pages 53-59
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 409, 15 October 2017, Pages 53-59
نویسندگان
Frédéric Milési, Marianne Coig, Jean-François Lerat, Thibaut Desrues, Jérôme Le Perchec, Adeline Lanterne, Laurent Lachal, Frédéric Mazen,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت