کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5467222 1518614 2017 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Homojunction silicon solar cells doping by ion implantation
ترجمه فارسی عنوان
سلول های خورشیدی سیلیکون همجوشی دوپینگ توسط کاشت یون
کلمات کلیدی
ایمپلنت یون فتوولتائیک، خط پرتو، غوطه وری پلاسما،
ترجمه چکیده
بعد از انجماد بر روی نمونه های انتخابی انجام شد تا دوپنات را در هر دو طرف سلول خورشیدی فعال کنید. دو روش بازتوزیع مورد بررسی قرار گرفتند: خنک کننده خنک کننده و سنسور حرارتی. سلول های خورشیدی که بهترین عملکرد را در حدود 20٪ نشان می دهند، با استفاده از آنالایزگی سنبله و شرایط لانه گزینی یون مورد استفاده قرار می گیرد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
پیش نمایش مقاله
سلول های خورشیدی سیلیکون همجوشی دوپینگ توسط کاشت یون
چکیده انگلیسی
Subsequent annealing was performed on selected samples to activate the dopants on both sides of the solar cell. Two annealing methods were investigated: soak and spike thermal annealing. Best performing solar cells, showing a PV efficiency of about 20%, was obtained using spike annealing with adapted ion implantation conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 409, 15 October 2017, Pages 53-59
نویسندگان
, , , , , , , ,