کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5467240 | 1518614 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Synthesis of p-n junctions in ZnO nanorods by O+ ion implantation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Tandem p-n junctions have been synthesized in ZnO nanorods (NRs) by implantation of 50 and 350Â keV O+ ions. Conducting-AFM measurements reveal the formation of Schottky like junctions between AFM tip and NRs. Photoluminescence measurements demonstrate the recovery of near band edge (NBE) emission upon annealing, while an additional dominant deep level emission is also observed. De-convolution analysis shows that these peaks originate from Oxygen interstitials (Oi) and may contribute to p-type conductivity in ZnO NRs. Such implanted NRs, may be suitable for green emissions and p-type conductivity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 409, 15 October 2017, Pages 143-146
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 409, 15 October 2017, Pages 143-146
نویسندگان
Avanendra Singh, K. Senapati, D.P. Datta, R. Singh, T. Som, S. Bhunia, D. Kanjilal, Pratap K. Sahoo,