کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5467567 1398939 2017 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The parameter influence of ion irradiation on the distribution profile of the defect in silicon films
ترجمه فارسی عنوان
تاثیر پارامتر تابش یون بر پروفیل توزیع نقص در فیلم های سیلیکونی
کلمات کلیدی
سیلیکون فیلم، ایمپلنت یون کاستی، ساختار بلوری فلسفه بحرانی آمورفیسازی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
چکیده انگلیسی
It is shown that in contrast to bulk silicon for which amorphization is observed at 5 × 1016 ion/cm2, the silicon films on sapphire amorphize at lower critical fluences (1015 ion/cm2). So the amorphization critical fluences depend on the target temperature. In addition it is shown that under similar implantation parameters, the disordering of silicon films under the action of the ion beam is stronger than the bulk silicon.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 406, Part B, 1 September 2017, Pages 507-510
نویسندگان
, , , ,