کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5467810 | 1518620 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Measurements of multiple scattering of high energy protons in bent silicon crystals
ترجمه فارسی عنوان
اندازه گیری پراکندگی چندگانه پروتون های انرژی بالا در بلورهای سیلیکونی خرد شده
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
کریستال، کانالینگ پراکندگی چندگانه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
The ordered positions of atoms in crystals give a reason to study multiple Coulomb scattering of high energy charged particles within them. In addition, the accurate representation of multiple scattering of high energy protons in a bent crystal is important for studies of crystal assisted collimation at the SPS and the LHC. Multiple scattering of 400Â GeV/c protons in bent silicon crystals was measured for orientations far from the directions of main crystallographic planes and axes in conditions excluding channeling of protons. The observed RMS widths of the angular distributions are a little larger than those obtained from the Moliere theory. Simulation of multiple scattering in a model of binary collisions with the crystal atoms shows about 3.5% decrease of the RMS deflection with respect to the model of a sequence of random collisions. We consider this as a possible indication of a reduction of multiple scattering of protons in a crystal in comparison with its amorphous state.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 402, 1 July 2017, Pages 291-295
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 402, 1 July 2017, Pages 291-295
نویسندگان
W. Scandale, G. Arduini, M. Butcher, F. Cerutti, M. Garattini, S. Gilardoni, A. Lechner, R. Losito, A. Masi, D. Mirarchi, S. Montesano, S. Redaelli, R. Rossi, P. Schoofs, G. Smirnov, G. Valentino, D. Breton, L. Burmistrov, M. Raymond,