کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5468099 | 1518927 | 2017 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
AlN/nitrided sapphire and AlN/non-nitrided sapphire hetero-structures epitaxially grown by pulsed laser deposition: A comparative study
ترجمه فارسی عنوان
یاقوت کبود آلومینیوم / نیترویده و آلومینیوم / نیتروژن آلومینیوم یاقوت کبود ساختارهای اپیتاکسالی به واسطه رسوب لیزر پالسی رشد: یک مطالعه مقایسه ای
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
AlN/nitrided sapphire and AlN/non-nitrided sapphire hetero-structures epitaxially grown by pulsed laser deposition (PLD) have been carried out. The characterizations find that when the nitridation process is implemented on sapphire substrates, the properties of AlN/sapphire hetero-structures are improved significantly. It is also identified that very smooth AlN surface with the root-mean-square surface roughness of 1.5 nm, full-width at half-maximums for AlN(0002) and AlN(10-12) X-ray rocking curves of 0.59°and 0.91°. Abrupt AlN/sapphire hetero-interfaces are obtained in AlN/nitrided sapphire hetero-structures. These high-quality AlN/nitrided sapphire hetero-structures shed light for the fabrication of highly-efficient AlN/nitrided sapphire-based devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 143, September 2017, Pages 241-244
Journal: Vacuum - Volume 143, September 2017, Pages 241-244
نویسندگان
Jianghua Luo, Wenliang Wang, Yulin Zheng, Xiaochan Li, Guoqiang Li,