کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5468194 | 1518929 | 2017 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Cuprous oxide (Cu2O) thin films prepared by reactive d.c. sputtering technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Synthesis of cuprous oxide (Cu2O) by direct current (DC) reactive magnetron sputtering technique has been demonstrated. Ar:O2 gas ratios in the plasma and the substrate temperature were the decisive parameters for the formation of unblemished Cu2O polycrystalline films. The optimal deposition parameters are: Ar:O2 â¼90:10; Tsâ¼623Â K and d.c. power â¼0.6Â kVÂ at 1.2Â mA/cm2. Optical spectroscopy, photo luminescence, X-ray diffraction, scanning electron microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and Raman measurements were carried out to characterize the films. Predominant p-type conductivity in the Cu2O films was confirmed from Hall measurement.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 141, July 2017, Pages 296-306
Journal: Vacuum - Volume 141, July 2017, Pages 296-306
نویسندگان
S. Dolai, S. Das, S. Hussain, R. Bhar, A.K. Pal,