کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5468207 | 1518925 | 2017 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
One-step phase transition and thermal stability improvement of Ge2Sb2Te5 films by erbium-doping
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The crystallization behavior of Er-doped Ge2Sb2Te5 phase-change materials is investigated systemically for phase change memory application. It is observed that Er dopants can serve as a center for suppression of face-centered-cubic to hexagonal phase transition of Ge2Sb2Te5 films, leading to a one-step crystallization process. The crystallization temperature, 10-year data retention ability and crystalline resistance of Ge2Sb2Te5 films can be significantly increased. Raman spectra suggest that GeTe component is mainly responsible for the phase transition in Er-doped Ge2Sb2Te5 films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 145, November 2017, Pages 258-261
Journal: Vacuum - Volume 145, November 2017, Pages 258-261
نویسندگان
Ting Gu, Jiaxing Wang, Huachi Liu, Zhenglai Wang, Yang Luo, Peng Liu, Juechen Zhong, Guoxiang Wang,