کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5468247 | 1518925 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Note on low-energy ion irradiated silicon nanowires: Anomalous large deformations at lower energy
ترجمه فارسی عنوان
نانوسیمهای سیلیکونی تابش شده با یونهای کم انرژی: نانوذرات سیلیکون تابش شده با یونهای کم انرژی: تغییرات بزرگ بیوموژن در انرژی پایین
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ویژگی های مکانیکی، آسیب تابشی، عیوب، اختلال مرزی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
We adopted the verified absolute-reaction theory which originates from the quantum chemistry approach to explain the anomalous flow for Si nanowires irradiated with 100Â keV (at room temperature regime) Ar+ ions as well as the observed amorphization along the Si nanowire [Nano Lett. 2015, 15, 3800-3807]. We also demonstrate some formulations which can help us calculate the temperature-dependent viscosity of flowing Si in nanodomains.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 145, November 2017, Pages 308-311
Journal: Vacuum - Volume 145, November 2017, Pages 308-311
نویسندگان
Kwang-Hua R. Chu,