کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5468430 | 1518934 | 2017 | 22 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical investigation of crystallographic orientation effect on the chemical etching rate
ترجمه فارسی عنوان
بررسی تئوری اثر جهت گیری کریستالوگرافی بر میزان اچینگ شیمیایی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سیلیکون، جهت گیری کریستالوگرافی، اچینگ شیمیایی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
The chemical etching of boron-doped p-Si(100) and p-Si(111) substrates in Br2+Ar mixture is considered. The experimentally measured dependences of silicon etching rate on partial pressure of Br2 molecules are compared with those theoretically calculated. It is found that at the same temperature desorption rate constant for SiBr2 molecules on p-Si(100) substrates is more than twice higher than on p-Si(111) substrates. The difference in desorption rate constants is caused by higher concentration of dangling bonds on Si(100) surface. The averaged desorption activation energy of SiBr2 molecules is equal to Ed±ÎEd=(2.02±0.11)eV. The influence of crystallographic orientation on the rate constant for Si+Br2âSiBr2 reaction is negligible.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 136, February 2017, Pages 101-104
Journal: Vacuum - Volume 136, February 2017, Pages 101-104
نویسندگان
R. KnizikeviÄius,