کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5468462 | 1518936 | 2016 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effective reactive pulsed magnetron sputtering of aluminium oxide - Properties of films deposited utilizing automated process stabilizer
ترجمه فارسی عنوان
اسپکترومغناطیسی مگنترون پالس موثر اکسید آلومینیوم - خواص فیلم ها با استفاده از تثبیت کننده فرایند خودکار
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
فیلم های نازک اکسید آلومینیوم، مگنترون، اسپری واکنش پذیر، پرتقال پالس
ترجمه چکیده
تشکیل کامپوزیت های دی الکتریک بر روی یک سطح هدف (مسمومیت هدف) میزان رسوب یک فرآیند رسوب مگنترون واکنشی را نسبت به میزان رسوب فلزات کاهش می دهد. یکی از راه های به حداقل رساندن این کاهش، حرکت نقطه ی مغناطیسی از دی الکتریک به حالت گذرا است. هدف از این مقاله نشان دادن این است که یک فرآیند پایدار از رسوب اکسید آلومینیوم کارآمد می تواند در یک حالت گذرا انجام شود. یک تثبیت کننده اتوماتیک که توسط پارامتر الکتریکی منبع تغذیه مگنترون هدایت می شود برای تثبیت فرایند مورد استفاده قرار می گیرد. رویکرد تثبیت فرآیند در حالت گذرا موجب هفت برابر افزایش میزان رسوب اکسید آلومینیوم نسبت به حالت استاندارد دی الکتریک شده و تنها دو برابر کمتر از میزان رسوب آلومینیوم است. خواص اپتیکی فیلم های اکسید آلومینیوم به دست آمده به وسیله آنالیز بیضی سنجی مورد بررسی قرار گرفت. مدل ساختار فیلم، شامل اکسید آلومینیوم استوکیومتری، اتصالات فلزی و حفره ها، پیشنهاد شده و ویژگی های پراکندگی محاسبه شد. ویژگی های شاخص شکست ضریب پیچیده شبیه به نمونه های معمولی اکسید آلومینیوم است که در طول فرایند اسپکترومغناطیسی مگنترون واکنش پذیر پالس استاندارد انجام می شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
The formation of dielectric composites on a target surface (target poisoning) reduces the deposition rate of a reactive magnetron deposition process in comparison to the deposition rate of metals. One way of minimizing this reduction is shifting the magnetron operating point from the dielectric to the transient mode. The goal of this paper is to show that a stable process of efficient aluminium oxide deposition can be carried out in a transient mode. An automated stabilizer driven by the electrical parameter of the magnetron power supply was used for process stabilization. The approach of process stabilization in the transient mode resulted in about seven times higher deposition rate of aluminium oxide than that of a standard dielectric mode and only two times lower than the deposition rate of aluminium. The optical properties of the thus obtained aluminium oxide films were studied by means of ellipsometric analysis. The model of film structure, consisting of stoichiometric aluminium oxide, metallic inclusions and voids, was proposed and dispersion characteristics were calculated. The complex refractive index characteristics were similar to those typical of aluminium oxide deposited during a standard pulsed reactive magnetron sputtering process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 134, December 2016, Pages 54-62
Journal: Vacuum - Volume 134, December 2016, Pages 54-62
نویسندگان
Artur Wiatrowski, Sergiusz Patela, Piotr Kunicki, Witold Posadowski,