کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
547026 | 871968 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A novel gate-suppression technique for ESD protection
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A novel gate-suppression technique derived from source-pumping technique is proposed for Electrostatic Discharge (ESD) protection application. By employing the complementary SCR structure, an improved source-pumping and the gate-suppression scheme are able to extend ESD window and endure a high level of ESD impact without additional layout area cost. The fast rise time TLP test revealed the gate-suppression technique provide more effective protection than the source-pumping technique.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issue 8, August 2012, Pages 1598–1601
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issue 8, August 2012, Pages 1598–1601
نویسندگان
Meng Miao, Shurong Dong, Mingliang Li, Jian Wu, Fei Ma, Jianfeng Zheng, Yan Han,