کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
547229 | 871991 | 2012 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Wafer-level Cu–Cu bonding technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Semiconductor industry currently utilizes copper wafer bonding as one of key technologies for 3D integration. This review paper describes both science and technology of copper wafer bonding with regard to present applications. The classification of Cu bonding, bonding mechanisms, process developments, its microstructure evolution, as well as other characterizations are reviewed. Researches about patterned Cu bonding, future prospects, and 3D integration using Cu bonding are discussed in this paper.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issue 2, February 2012, Pages 312–320
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issue 2, February 2012, Pages 312–320
نویسندگان
Ya-Sheng Tang, Yao-Jen Chang, Kuan-Neng Chen,