کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
547477 | 872008 | 2009 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A CMOS circuit for evaluating the NBTI over a wide frequency range
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper an application specific integrated circuit (ASIC) for evaluating the NBTI effects over a wide frequency is described. The circuit is designed to allow measurements in multiple modes, specifically, DC and AC NBTI, on single pFET and on an inverter. The results indicate that AC NBTI is independent of the frequency in the 1 Hz–2 GHz range. Furthermore, the voltage and the stress time acceleration are identical for both AC and DC NBTI stress.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issue 8, August 2009, Pages 885–891
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issue 8, August 2009, Pages 885–891
نویسندگان
R. Fernández-García, B. Kaczer, G. Groeseneken,