کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
548269 | 872191 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hot-carrier-induced time dependent dielectric breakdown in high voltage pMOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report about the time dependent gate dielectric breakdown failure of high voltage p-channel MOSFETs submitted to hot-carrier stress. We consider the time integral of the instantaneous gate current raised to a constant exponent as a measure of the dielectric film wear out, and we check that this integral computed up to the dielectric failure time is indeed a constant not depending on the drain–source stress bias.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issue 8, August 2011, Pages 1283–1288
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issue 8, August 2011, Pages 1283–1288
نویسندگان
F. Alagi,