کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
548297 | 872197 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
DMOS FET parameter drift kinetics from microscopic modeling
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: DMOS FET parameter drift kinetics from microscopic modeling DMOS FET parameter drift kinetics from microscopic modeling](/preview/png/548297.png)
چکیده انگلیسی
DMOS FET parameter drift trend under common ageing conditions is analyzed by assuming first order kinetics and distributed activation energy. We propose an analysis technique for improving the accuracy of the microscopic parameter estimation combining the analytical solution of the kinetic equation with the multi-dimensional regression of experimental drift data. The case of a low voltage DMOS subjected to hot-carrier stress at low overdrive is worked out in details, as an example.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 50, Issue 1, January 2010, Pages 57–62
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 50, Issue 1, January 2010, Pages 57–62
نویسندگان
F. Alagi,