کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
548333 | 1450555 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A novel approach to characterization of progressive breakdown in high-k/metal gate stacks
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Dielectric breakdown (BD) of nFETs with TiN metal gates and HfO2/interfacial layer with 1.09 nm EOT is studied. Occurrence of progressive BD at low current levels is demonstrated. A new measurement methodology for extraction of the PBD time and its dependence on gate voltage are reported.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 11–12, November–December 2008, Pages 1759–1764
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 11–12, November–December 2008, Pages 1759–1764
نویسندگان
R. Pagano, S. Lombardo, F. Palumbo, P. Kirsch, S.A. Krishnan, C. Young, R. Choi, G. Bersuker, J.H. Stathis,