کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
548452 | 872218 | 2007 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transient voltage overshoot in TLP testing – Real or artifact?
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper investigates on the transient pulse response of the device under test, which is becoming a critical aspect in determining the ESD reliability of a variety of technology products. For the first time, the feasibility to calibrate or tune the artifacts arising out of system parasitic to ‘see’ the device transient response is presented in this paper with experimental data and numerical analysis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 47, Issue 7, July 2007, Pages 1016–1024
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 47, Issue 7, July 2007, Pages 1016–1024
نویسندگان
D. Trémouilles, S. Thijs, Ph. Roussel, M.I. Natarajan, V. Vassilev, G. Groeseneken,