کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
548459 | 872218 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design automation to suppress cable discharge event (CDE) induced latchup in 90 nm CMOS ASICs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Design automation tools have been developed to suppress CDE-induced latchup in CMOS ASICs. The tools govern the placement of I/Os and cores subject to CDE and automate the insertion of well and substrate contacts with varying periodicities around CDE susceptible cells according to rules derived from an analytical latchup model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 47, Issue 7, July 2007, Pages 1069–1073
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 47, Issue 7, July 2007, Pages 1069–1073
نویسندگان
Ciaran J. Brennan, Kiran Chatty, Jeff Sloan, Paul Dunn, Mujahid Muhammad, Robert Gauthier,