کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5488708 | 1524105 | 2017 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
2.5-µm InGaAs photodiodes grown on GaAs substrates by interfacial misfit array technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In0.85Ga0.15As photodetectors grown on GaAs substrates using an interfacial misfit array-based simple buffer are studied. The material quality is assessed with a range of characterization tools showing low surface roughness and low density of threading dislocations. These results indicate a significant improvement on crystal quality compared to structures grown on InP substrates by using metamorphic buffers. Quantum efficiency and responsivity measurements show good performance of the fabricated devices between 1.5 and 2.5 µm, making them highly suitable for short-wavelength infrared applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 81, March 2017, Pages 320-324
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 81, March 2017, Pages 320-324
نویسندگان
Pamela Jurczak, Kimberly A. Sablon, Marina Gutiérrez, Huiyun Liu, Jiang Wu,