دانلود مقالات ISI درباره اپیتاکسی + ترجمه فارسی

اپیتاکسی(به انگلیسی: Epitaxy) روشی برای پوشش لایه‌ای تک‌بلور روی زیرلایه‌ای تک‌بلور است. به لایه پوششی لایه برآرایی گفته می‌شود. واژه اپیتکسی ریشه یونانی دارد و از دو بخش اپی یعنی بر رویِ و تکسی یعنی در حالت منظم شکل گرفته‌است. این روش با لایه نشانی معمولی لایه نازک (پا توپوتکسی) که در آن لایه‌ای از مواد آمورف یا چندبلور رشد داده می‌شوند تفاوت دارد. لایه برآرایی را می‌توان از فاز مایع یا گاز درست کرد و ساختار نهایی آن با زیر لایه یکی خواهد بود زیرا زیرلایه نقش بذر بلور را دارد. دو نوع مختلف از اپیتاکسی عبارتند از: • رشد همو اپیتاکسی( homoepitaxy growth) به نحوی که جنس لایه ی اپیتاکسی مانند جنس زیرلایه باشد. • رشد هترواپیتاکسی( heteroepitaxy growth) به نحوی که جنس لایه ی اپیتاکسی متفاوت از جنس زیرلایه باشد. اگر ترکیب لایه برآرایی با زیرلایه یکسان باشد، به آن برآرایی همگن homoepitaxy گفته می‌شود. از این روش برای دستیابی به ساختاری از یک ماده چند لایه که لایه‌هایش دارای دوپینگ‌های مختلفی هستند (هر لایه دارای غلظت مشخصی از یک ناخالصی‌ست) بکار می‌رود، مانند ساخت گونه‌هایی از نیمه‌رساناها. اگر ترکیب لایه برآرایی با زیرلایه یکسان نباشد، به آن برآرایی ناهمگن heteroepitaxy گفته می‌شود. ازین روش برای دستیابی به ساختاری چندلایه که هر لایه از تک‌بلور ماده‌ای ویژه است، بکار می‌رود. برای نمونه می‌توان از نیترید گالیوم روی پاقوت کبود، یا AlGaInP (فسفید آلومینیوم-گالیوم-ایندیوم) روی آرسنید گالیوم نام برد. برآرایی در ساخت موادی که پایه ساختشان سیلیسیوم‌اند مانند ترانزیستور دوقطبی پیوندی و سیماس، و همچنین در ساخت نیمه‌رساناهای ترکیبی مانند آرسنید گالیوم کاربرد دارد. اپیتاکسی عموما به رشد جهت دار یک زیرلایه ی کریستالی با یک زیرلایه ی دیگر اتلاق می گردد. کاربردهای خاص نیازمند کنترل کردن کامل کریستالینیتی و غلظت دپانت در لایه ی اضافه شده، است. برآرایی یا رونشست یا اپیتکسی روشی برای پوشش لایه‌ای تک‌بلور روی زیرلایه‌ای تک‌بلور است. به لایه پوششی لایه برآرایی گفته می‌شود. این روش با لایه نشانی معمولی لایه نازک (پا توپوتکسی) که در آن لایه‌ای از مواد آمورف یا چندبلور رشد داده می‌شوند تفاوت دارد. لایه برآرایی را می‌توان از فاز مایع یا گاز درست کرد و ساختار نهایی آن با زیر لایه یکی خواهد بود زیرا زیرلایه نقش بذر بلور را دارد. این واضح است که همه ی انواع اپیتاکسی های تجاری سیلیکون همواپیتاکسی هستند به جز اپیتاکسی سیلیکون بر روی یاقوت کبود( sapphire). لایه های سیلیکون اپیتاکسی می تواند با استفاده از گستره ی وسیعی از تکنیک ها مانند تبخیر، اسپاترینگ، باریکه های مولکولی( molecular beams) و روش های رشد مجدد مختلف تولید شوند. این مقاله در مورد رسوب دهی اپیتاکسی بوسیله ی رسوب دهی از فاز بخار( CVD) صحبت می کند که در آن سیلیکون و اتم های دوپانت بوسیله ی انتقال گازی، بر روی سطح تک کریستال فرود می آیند. رسوب دهی شیمیایی از فاز بخار تشکیل جامدهای پایدار بوسیله ی تجزیه ی مواد شیمیایی با استفاده از حرارت دهی، پلاسما، پرتوی فرابنفش یا سایر منابع انرژی است. CVD یک تکنولوژی به نسبت قدیمی است. این تکنولوژی در دهه ی 1800 برای خالص سازی فلزات دیرگداز مورد استفاده قرار گرفته است( بوسیله ی از این روش در دهه ی 1900 برای تولید فیلامنت هایی برای لامپ های با فیلامنت کربنی( لامپ های ادیسون) استفاده شد. در دهه ی 1950 از این روش برای تولید پوشش های سخت فلزی استفاده شد و در دهه ی 1960 برای تهیه ی مواد نیمه رسانا از آن استفاده شد. در حال حاضر، محصولات تجاری تولیدی از اپیتاکسی سیلیکون بوسیله ی CVD گرمایی تولید می شوند. با استفاده از فرایند اپیتاکسی سیلیکون، تغییرات رادیکالی در خواص مواد می تواند با تغییر کوچکی در فاصله در یک کریستال معین، ایجاد شود. این قابلیت اجازه ی رشد تک کریستال های سیلیکونی با درصد دوپ شدگی کم را بر روی تک کریستال های سیلیکونی با درصد دوپ شدگی زیاد را مهیا می کند. در حال حاضر، هیچ تکنیک دیگری اجازه ی شکل گیری نواحی دپ شده را در داخل یک زیرلایه ی تک کریستال نمی دهد.