کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5488766 | 1399583 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase separation suppression in InxGa1âxN on a Si substrate using an indium modulation technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Phase separation suppression in InxGa1âxN on a Si substrate using an indium modulation technique Phase separation suppression in InxGa1âxN on a Si substrate using an indium modulation technique](/preview/png/5488766.png)
چکیده انگلیسی
A high quality, single phase InGaN film is fabricated on a GaN/Si (111) substrate by optimizing the pulse patterned In supply with a plasma-assisted MBE technique. Compositional phase separation in InGaN is considerably suppressed. The optical and structural properties of the single phase InGaN epitaxial film are consistently confirmed by atomic force microscopy, X-ray diffraction and photoluminescence measurements. We propose a growth mechanism for single phase InGaN in terms of optimal incorporation and surface migration of In atoms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 17, Issue 8, August 2017, Pages 1142-1147
Journal: Current Applied Physics - Volume 17, Issue 8, August 2017, Pages 1142-1147
نویسندگان
Hyeonseok Woo, Hansol Jo, Jongmin Kim, Sangeun Cho, Yongcheol Jo, Cheong Hyun Roh, Jun Ho Lee, Yonggon Seo, Jungho Park, Hyungsang Kim, Cheol-Koo Hahn, Hyunsik Im,