کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5488817 | 1399585 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Doping-induced bandgap tuning of α-Ga2O3 for ultraviolet lighting
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We propose the novel strategy for indirect-to-direct band gap transition of gallium oxide-based semiconductors for ultraviolet lighting device through first-principles calculations using a screened hybrid functional. Our calculations show that the tuning of electronic band gap of α-Ga2O3 is straightforward by adding dopants, which mimics alloy-like system. In order to put the band gap in the energy range of ultraviolet light, Group-III (In, Tl) at the Ga site and Group-V (N, P) or Group-VI (S, Se) at the O site are examined. We find that the most of doped Ga2O3 possess direct or nearly direct band gaps lying in the ultraviolet energy that is essential for optoelectronic devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 17, Issue 5, May 2017, Pages 713-716
Journal: Current Applied Physics - Volume 17, Issue 5, May 2017, Pages 713-716
نویسندگان
Minseok Choi, Junwoo Son,