کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5488904 | 1399589 | 2017 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GaSb/InGaAs 2-dimensional hole gas grown on InP substrate for III-V CMOS applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: GaSb/InGaAs 2-dimensional hole gas grown on InP substrate for III-V CMOS applications GaSb/InGaAs 2-dimensional hole gas grown on InP substrate for III-V CMOS applications](/preview/png/5488904.png)
چکیده انگلیسی
The electrical properties were also observed by Hall measurement, indicating a high hole mobility of 653 cm2/Vs and high carrier concentration of 4.3Â ÃÂ 1012/cm2 at RT.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 17, Issue 7, July 2017, Pages 1005-1008
Journal: Current Applied Physics - Volume 17, Issue 7, July 2017, Pages 1005-1008
نویسندگان
SangHoon Shin, YounHo Park, HyunCheol Koo, YunHeub Song, JinDong Song,