کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5488932 | 1399590 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Corrigendum to “Low-damage NH3 plasma treatment on SiO2 tunneling oxide of chemically-synthesized gold nanoparticle nonvolatile memory” [Curr. Appl. Phys. 16 (5) (2016) 605â610]
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Corrigendum to “Low-damage NH3 plasma treatment on SiO2 tunneling oxide of chemically-synthesized gold nanoparticle nonvolatile memory” [Curr. Appl. Phys. 16 (5) (2016) 605â610] Corrigendum to “Low-damage NH3 plasma treatment on SiO2 tunneling oxide of chemically-synthesized gold nanoparticle nonvolatile memory” [Curr. Appl. Phys. 16 (5) (2016) 605â610]](/preview/png/5488932.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 17, Issue 4, April 2017, Page 592
Journal: Current Applied Physics - Volume 17, Issue 4, April 2017, Page 592
نویسندگان
Jer-Chyi Wang, Kai-Ping Chang, Chin-Hsiang Liao, Ruey-Dar Chang, Chao-Sung Lai, Li-Chun Chang,