کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
549205 | 872348 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strength determination of high-power LED die using point-load and line-load tests
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Strengths of LED die are tested by point-load test (PLT) and line-load test (LLT). ⺠Mechanism has been discussed and validated via these test results and analyses. ⺠Die strengths on chip surface failure are 1.48 GPa for PLT and 1.2 GPa for LLT. ⺠Die strengths on sapphire surface failure are 1.36 GPa for PLT and 0.64 GPa for LLT. ⺠Two tests have been found feasible, easy-to-use and reliable for LED die strength.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issue 5, May 2012, Pages 822-829
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issue 5, May 2012, Pages 822-829
نویسندگان
C.H. Chen, M.Y. Tsai,