کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
549361 | 872362 | 2011 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study for the non-contact characterization of metallization ageing of power electronic semiconductor devices using the eddy current technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The ageing of the metallization layers of power semiconductor dies may be the cause of failure of power semiconductor modules. Usual indicators of failure like on-state voltage drops make it difficult to highlight the deterioration of the metallization layer. In this study, we evaluate the relevance of the characterization of power device metallizations by means of the eddy current sensors. Experimental results show the ability to monitor the state and the evolution of the metallization ageing with such a technique.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issue 6, June 2011, Pages 1127–1135
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issue 6, June 2011, Pages 1127–1135
نویسندگان
T.A. Nguyen, P.-Y. Joubert, S. Lefebvre, G. Chaplier, L. Rousseau,